MT41K256M16TW-107:P是美光Micron生产的一款4Gb DDR3L SDRAM低电压双倍数据速率同步动态随机存取存储器芯片。其核心优势在于降低功耗1.35V工作电压的同时提供了高达1866MT/s的高速数据传输是中低功耗高性能电子设备的主流选择。核心参数规格以下是此物料的关键技术规格汇总您可快速概览其特性参数类别具体规格 存储容量4Gb (即 4Gbit或 512 MB)⚙️ 内部组织256M x 16256兆个存储单元每个单元16位⚡ 工作电压VDD VDDQ 1.35V范围1.283V至1.45V并兼容1.5V的DDR3标准 时钟/速率时钟频率: 933 MHz数据传输率: 可达 1866 MT/s⏱️ 时序参数CL (CAS延迟): 13tRCD (行寻址至列寻址延迟): 13tRP (行预充电时间): 13️ 工作温度0°C 至 95°C (商业级温度范围) 封装形式96-ball FBGA (精细球栅阵列)尺寸为8mm x 14mm 接口并联 (Parallel)型号编码含义MT41K256M16TW-107:P的型号编码含义如下MT41K美光DDR3L SDRAM产品系列。256M芯片组织为 256 Meg。16数据总线宽度为 16位。TW封装代码代表96-ball FBGA封装。107速度等级对应数据传输率1866 MT/s-107也常被直接解释为最大时钟周期为1.07纳秒ns。:P芯片版本标识。 应用领域该芯片凭借其高性能、高密度和低功耗的特点广泛应用于各类需要主存储器的电子设备中个人计算如台式机、笔记本电脑和一体机。网络通信如路由器、交换机、基站和网络附加存储NAS。嵌入式系统如工业计算机、单板计算机SBC。消费电子如部分高端智能电视和机顶盒。汽车电子可用于车载信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统ADAS。